实验室工程师波恩哈德·黎曼摇摇头说：不止如此，安德烈博士，他们使用了我们不知道的技术！
安德烈问道：什么技术？
波恩哈德说：安德烈博士，你过来看看吧！
在电子显微镜里面，安德烈看到连接线金属不同的结构。
这不是铝！
波恩哈德说：不是铝，是铜！
怪不得！安德烈摇摇头说：铜的导线性能优于铝线太多了，怪不得他们的品质能做这么好！
安德烈说出这样的话，也很无力，500纳米制程，跟铜导线技术是目前世界半导体研究的热门，只有intel、ibm、德州仪器在时间研究他们，也有这个财力去研究。
与铝不同的是，铜原子能够漂浮在芯片的绝缘层上。
铜也有可能改变硅，改变其电气特性并破坏设备的可操作性。
还有一个问题，就是物理上通过超细导体，会让铜离子发生错位，也就是通常所说的电迁移，会让半导体发生故障的概率大大提升。
而想要用跟铝导线那样，用金属衬垫，然后用物理气相沉积的方法是行不通的。
按照原来的历史，intel跟ibm在接下来的五年内，将把元素周期表试了一个遍，了几十亿美元的研发费用，才找到钴钽包铜的方案。
而小赵老师为让intel走点弯路，加上一层可有可无的金、钨金属沉积层，虽然制造成本每个颗粒增加了三美元，但还是值的。
镁光很快用光谱仪分析出导线所需要的材料。
铜、金、钽、钴、钨……
头疼了，导线竟然有五种元素，不单纯是铜，他们分析不出制造工艺。
而同时intel的工程师同样在对中讯的内存颗粒进行开肠破肚。
他们同样得到两个技术指标，500纳米制程，铜连接。
他们的导线大概78%的铜，12%的金，3%的钴还有7%的钽？
衬底是什么材料？
没有检测到衬底金属？
intel的工程师在这个时候懵了，没有衬底金属?他们怎么解决铜沉积破坏硅基底的，想不通啊……
跟铝与硅基不亲和一样，铜沉积不是不亲和了，那是能改变硅基的物理性质，只能在铜与硅基之间加一个过渡层……可是……没有……为什么？
为什么，当然是不想让你们知道。
产品被人拿来研究，是小赵老师意料之中的事，而同时在产品上设置几道陷阱也是常有的事情。
上帝保佑intel吧！
他们要是走错路线，那就好玩了。
小赵老师希望intel能够勇敢一些，自信一些……
(本章完)